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ˋ﹏ˊ 天合光能申请太阳能电池及其制备方法专利,降低PN复合从而进一步...隧穿氧化连接层设置在n+掺杂连接层靠近p+掺杂层的一侧,正面电极与n+掺杂层连接。n+掺杂连接层极易与正面电极形成良好的接触,从而使得两者之间保持较小的接触电阻,隧穿氧化连接层的隧穿能力能够降低p+掺杂层与n+掺杂连接层之间的PN复合,从而在正面电极具有良好接触的基础...

（°ο°） ...内置肖特基二极管能有效减小寄生PN结体二极管的少数载流子注入伪栅极旁的p型基区上方形成肖特基接触区,与源极为肖特基接触,以此屏蔽漏极高电场减少泄漏电流。内置肖特基二极管能有效减小寄生PN结体二极管的少数载流子注入,使MOSFET可以获得优异的反向恢复特性。此外,伪栅极在反向导通时在栅介质层下表面吸引电子,形成沟道,帮助增大...

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小米15用上钛金属+卫星通信最新,IMEI数据库亮相了小米的3款新机24129PN74C、24101PNB7C、2410DPN6CC,不出意外的话大概率就是小米15系列新品,分别是小米15、小米15 Pro和小米15 Pro钛金属卫星通信版。按照此前的规划,小米15将首发高通骁龙8 Gen4平台,目前已经在测试工程样机,预计会在9月进入...